【日本半导体材料硅资料汇编】上海科学技术情报研究所.pdf

本书主要介绍了目前日本有关硅材料工业及备。包括日本硅工业发展情况.拉制单晶的工艺及备.悬浮区熔的工艺及备.扩散工艺及备.物理测赋及其他等六部分。着重開逃了拉制单晶的工艺及設备,如日本气氛拉晶工艺:控制生长速度及气氛掺杂等具体方法,并群細介绍了一套高精废的温度自动控制系。悬浮区熔部分比较群細的介绍了电气控制系统,同时还在物理测赋部分介貂了舍获得较高价的寿命湖试仪器。除化学提外本汇巍所涉及的内容较广泛。

第一部分日本半导体硅工业的发展及有关情况 S1.日本华导体硅工业发层简史 S2.日本现在生产高硅的几种方法 53.日本生产硅的工厂情况及现有水平 S4.拉制单晶的一些辅助材料第二部分拉制法制硅單晶的工艺及設备第一章在氩气氛下拉制硅单晶 S1.概况.S2.操作工艺 S3.拉晶的操作过程 S4.在氩气气氛下拉制硅单晶的掺杂技术附录I 图解半导体掺杂概念第二章硅单晶拉(C.Z.设备(单晶炉)S1.高频炉 S2.高灵敏度溫度自动控制采 S3.温废自动記录系統 S4.

第一部分日本半导体硅工业的发展及有关情况 S1.日本半导体硅工业发展簡史日本有关牛导体的工作是从1953年开始,当时东京通讯工业株式会社Song公司从比利时进口氧化端然后自已还原成。最初对牛导体研究较多的是东北鲜台大学、电气通讯研究所和东京电气试验所(该两所属通商产业省管理)。这些单位进行了大量的牛导体理论研究工作和试验工作.1954年,东京通讯工业公司经理井深大第一个从美国输入专利和成套设备、技术,用于制造晶体管,牛导体收音机。由于牛导体收普机在日本市場出现,轰动日本,因此Song 公司得了高额利润。