【半导体器件及其应用Ⅴ】科学.pdf

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半导体器件及其应用 文集 V A.A.费多托夫福 李锦林等 成众志校訂目录 半导体二极管的参量放大器 C.B.佩尔佐夫 作为参量放大器的元件的半导体二极管非綫性电容 B.JI.阿罗諾夫 具有较高发射极击穿电压的高漂移晶体管 B.华克辛布尔格,M.A．帕斯凱奇,IO.C.齐哈捷也夫 漂移晶体管某些率参数的温度关系 M.M.沙蒙赫瓦洛夫,O.C.齐哈捷也夫 在脉冲过荷状态下半导体器件的最大允許脉冲功率的計算 V.A.肖斯塔可夫 晶体管的噪声 B.Φ.帕特拉沙依,A.C．里豹夫,B.H.苏恰京 晶体管超短波参数的测量 IO.A.卡梅湟茨基,A.ⅡI.信等等)的蓬勃发展以及与此有关的向超高的过渡,对接收极微 弱的信号的可能性方面提出了日盆增长的要求.参量放大器的研 究与拟制证明:这种甚为簡单和运用可靠的放大器,在无需采用人 工冷却获得低噪声电平方面是大有可为的,这就明了为什么在 近年来对参量放大的問题有极浓厚兴趣的原因,参量放大器的工作原理 超高电子管放大器应用的是电子束,在电子束里自由电子 的置流动能或位能变换成被放大信号的交变能量.这种方法使接 收設备的灵敏度受到限制,电子是由热的阴极发射出的.电子 的高温决定了噪声的随高的电少 参量放大器的主要元件是积聚能量的設备(半导体二极管,磁 膜),設备的电抗可作周期性的变化.