【平面型晶体管专集】.pdf

牛导体丛 0520995 平面型晶体管专集半导体丛编韩委員会编國防草品版社

前言平面型晶体管的出现,为晶体管的研究和生产打开了新的局面。在平面型晶体管的制造过程中,由于朵用氧化物掩蔽、光刻、扩散等工艺,不仅使产品有优良的参数性能和很高的均一性,而且成品率也敦高.由于以氧化层保护结面,可以避免外界沾污和气氛影响,因而稳定性、可靠性很高。以平面结构与外延工艺相结合而制成的平面外延晶体管是目前性能最优良的晶体管之一。在国外已大量生产的硅平面或平面外延晶体管中,高频管的最高振荡频率达3700兆赫,高频功率管的参数性能达到截止频率800兆赫、耗散功率18瓦,大功率管的耗散功率达125瓦,高速开关管的开关时間达20毫微秒,功率开关管的参数性能达到开关时間400毫微

外延硅薄膜中的杂质分布 C.O.ThomasD.KahngR.C.Manz 摘要本文描述了在外延半导体薄膜深度上测定掺杂分布的微分电容-电压方法。给出了一些薄膜生长条件下的实验分布图,在这些图中,掺杂溪度不是平的而是随薄膜严度的增加而下降。对所观察到的这种分布的可能解释进行了封.为了在器件制造中正确地利用外延半导体薄膜(特别是非常薄的膜),为了了解衬底和薄膜交界面成为器件基本部分的秸构,或者为了简单明了地知道掺杂分布的結构(如生长结),则必须测量、了解、并控制在薄膜深度方向上的参杂分布.外延半导体薄膜中的杂质分布是由两个因案决定的:生长方法本身.