【压电晶体及其应用二】上海科学技术文献.pdf

目录(二)三、晶体滤波器和材料特性 1.单片晶体滤波器的泛音模分析2.混合集成的单片晶体滤波器.采用ZnO溅射薄膜电视用的声表面波视频中频滤波器.使用模拟式电荷耦合器件和声表面波器件的滤波.高压电耦合的新温度补偿材料6.高频包酸锂晶片的温度特性sssssssss 四、表面波器件 7.声表面波器件制造方法与工艺的进展报告8.声表面波谐振器和耦合谐振器的滤波器9.两端对石英声表面波谐振器10.表面声波频率合成器中的快速跳频.

2h 2h 2hT-2-22 图1单片晶体滤波器简图似,适当项数的方程可取参考文献[1]式(2)*的形式。公式表明T23和T33对得到的该阶近似值来说可以忽略不计。而在片的主面上仍能满足的边界条件对无电极片来说可取I中式的形式,对全电极片来说可取I中式的形式。显然,本文使用的表示法规定在 I中.已证实,对于无电极区晶片波来说,和v的第二阶的典型渐近解可写成I中式和(2.2)的全部形式。同样,对于电极区与短路电极的晶片波来说,和v的第二阶的典型渐近解可写成I中式和～的形式。

cOSV cOSvxs3 COSV COSVxcOSVxS 而对反对称模来说,1-3可用下列各式代替:4-sin Nπ Aafs(2cosVaft 2h Nπ -Acosx(x+)+B4sina(l)]cosvxaft, u4=sin No在的其余公式中,把所有字母S都用字母A来代替。倘若,M²+Csv²-Kv=0,Mx²-Osv²+Kx8=0 0=+0=+则在(3)～中给出的解能使微分方程和片的电极和非电极区各自主面上的边界条件得到满足。各式如I所示,为完整起见在此不妨重写如下:(3.