【硅材料质量与硅器件工艺】上海科学技术文献.pdf
田佩兰 曹泽淳 包宗明 上海有色金属研究所夏锦禄 中国科学院上海冶金研究所王自筠 复旦大学张冠生 上海半导体器件研究所王儒全 复旦大学王迅 上海科学技术大学 上海元件五厂、复旦大学包宗明 复旦大学张敬海 中国科学院上海冶金研究所杨传铮 上海元件五厂、复旦大学 714S90 录 中国科学院上海冶金研究所杨传铮 目 9.汞探针C-V测试在硅外延生产及元件工艺中的作用 11.区射线貌相术及其在半导体材料和器件中的应用 1.国外半导体硅单晶及其质量 2.硅晶片的切磨抛工艺 3.硅烷外延.
体,同时投入新料,这样即节省了石英坩埚,减少了硅材料的沾污,又缩短了装拆炉的时 拉制设备,大多数是采用充气保护,电阻加热 由于扩大投料量,拉晶时间延长,人工控 制就显得过度疲劳,必然影响晶体质量。所 以拉晶过程的自动控制就被提到日程上。自 动控制系统检取讯号的方法有:用热电偶测 量温度.用光学法测量固液界面的光环直径.用模拟法测量晶体重量等。当生长晶体直径 发生变化时,可以通过电子计算机、控制籽晶 转动,籽晶升速,坩埚转动,地埚升速及加热 温度来保持晶体维持等径生长。并配有工业 电视摄像,使操作者可以通过电视荧光屏,清 晰地观察炉内晶体生长情况。
Pa.cm Pn.cm Vg=2x10²xN0 24680 2468102468106 杂质浓度N,5/(厘率)硅单晶电阻率(欧姆-厘米)10-s 0.100 1.3,(1.15) 0.10 100.300 20.200,(n×10.n×10)8.13 1×103.1×104 1×103.5×103 10-12 目前多晶硅的纯度一般已达到硼含量 4 图1硅合金结击穿电压V和杂质浓 度N的对应关系 表2不同硅器件所要求硅单品的电阻率 导电类型 n(p) n(p) 2 n(p)/1.