[场效应半导体器件]

【场效应半导体器件】.pdf5C3995 场效应半导体器件 上海无线电十四厂 上海科学技术大学 上海人民版社认识从实践始,打破洋框框,走 毛主席语录 经过实践得到了理论 的认识,还须再回到 自己工业发展道路 实践去。意义 光的干涉条纹数 硅中某杂质的体内浓度 噪声系数 磷硅玻璃中磷的浓度 杂质在硅中某一深度的 杂质扩散的表面浓度 二氧化硅的折射率 场效应管的最大耗散功 栅极二氧化硅中的正电 荷密度 基片材料中的体电荷密 杂质在硅中的总数 漏极串联电阻 源极串联电阻或源极负 反馈电阻 栅源直流输入阻抗 栅极输入端噪声源电阻 或偏置电阻 负载电阻 输入讯噪功率比 输出讯噪功率比 栅极二氧化硅厚度 下降时间延迟 上升时间延迟 载流子的漂移速度 载流子的最大漂移速度 号 符 N NB NF Np N 浓度 Ns bor PDM 率 Qss QB 度 Q RD Rs Bas R, RL S/N S/N tox
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