【场效应晶体管及其集成电路】.pdf
场效应晶体管及其 集成电路 周国云姚震宇 江不桓 合编 黄运锐王恩德 国防工草名版社
帐Ⅲ 绪言 第一章 结型场效应晶体管 1-1 结型场效应晶体管的一般介绍 1-2 结型场效应晶体管的特性 1-3 结型场效应晶体管的制造工艺 1-4 结型场效应晶体管的电参数1-5 参数和结构的关系.1-6 结型场效应晶体管的噪声性能 1-7 结型场效应晶体管的测试 1-8 结型场效应晶体管的应用 I 第二章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管2-1 MOS晶体管的一般介绍 2-2 反型层的形成和开启电压 2-3 MOS晶体管的特性曲线2-4 MOS晶体管的制造工艺和图形设计2-5 MOS晶体管的参数
绪言 在五十年代初期,晶体管的出现引起了电子技术的重大 发展。与电子管相比,晶体管有很多优点,例如重量轻、体 积小、耗电省和可靠性高等.围内,人类总是不断发展的,自然界也总是不断发展的,永 远不会停止在一个水平上。”最初的晶体管有一个重要的缺 点,就是输入阻抗比较低。这就促使人们去创造与一般晶体 管不同的新型晶体管一场效应晶体管.为了与一般的晶体管相区别,场效应晶体管又叫做单极 型晶体管,这是因为场效应晶体管中的电流只包括一种载流 子的运动。而在一般的晶体管里,电流包括两种载流子(电 子和空穴)的运动,所以通常叫做双极型晶体管.场效应晶体管输入阻抗较高,与五极电子管的特性相 似.