[硅半导体工艺数据手册]

【硅半导体工艺数据手册】.pdfC10952 硅半导体工艺数据手册 [美]H.F.沃尔夫编 天津半导体器件厂译译者序 遵照毛主席关于“洋为中用”的伟大教导,我们翻译了《硅半导 体工艺数据手册》一书,供从事半导体器件设计和制造的工人和技术 本书共分八章,比较系统地介绍了半导体器件设计和制造中用到 的有关硅的一些物理性质的主要数据和公式。这些数据均是理论设计 和实验测试的结果,多半是刊登于已出版的各种期刊上,经过本书作 本书采用图解表达方式,避开了烦琐的数学公式的推导,并有题 解,简单明了。书中所用到的符号、定义均已统一,曲线也尽可能的 归一化了.为了加深对图表的理解,还补充了附录部分,因此使用 本书在翻译过程中,曾得到有关工厂和科研单位的热情协助,在 翻译中我们对所发现的原书中的技术性错误作了更正,但由52/362均匀掺杂P型层的遵层电阻(P)与层杂质浓度(N)及 层厚(的关 2,2,2亚表面层的平均电阻率(P)与表面杂质 浓度(C)及层厚(x/)的关系.2,2,2亚表面层的平均电阻率(P)与表面杂 质浓度(C)及层厚的关系平均电阻率(P)与表面杂质浓度(C)和本体杂质浓 度(C)的关系 2.
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