【硅半导体工艺数据手册】.pdf

C10952 硅半导体工艺数据手册 [美]H.F.沃尔夫编天津半导体器件厂译

译者序遵照毛主席关于“洋为中用”的伟大教导,我们翻译了《硅半导体工艺数据手册》一书,供从事半导体器件设计和制造的工人和技术本书共分八章,比较系统地介绍了半导体器件设计和制造中用到的有关硅的一些物理性质的主要数据和公式。这些数据均是理论设计和实验测试的结果,多半是刊登于已出版的各种期刊上,经过本书作本书采用图解表达方式,避开了烦琐的数学公式的推导,并有题解,简单明了。书中所用到的符号、定义均已统一,曲线也尽可能的归一化了.为了加深对图表的理解,还补充了附录部分,因此使用本书在翻译过程中,曾得到有关工厂和科研单位的热情协助,在翻译中我们对所发现的原书中的技术性错误作了更正,但由

52/362均匀掺杂P型层的遵层电阻(P)与层杂质浓度(N)及层厚(的关 2,2,2亚表面层的平均电阻率(P)与表面杂质浓度(C)及层厚(x/)的关系.2,2,2亚表面层的平均电阻率(P)与表面杂质浓度(C)及层厚的关系平均电阻率(P)与表面杂质浓度(C)和本体杂质浓度(C)的关系 2.