[半导体器件表面钝化技术]·科学社版

【半导体器件表面钝化技术】科学.pdf720978 半导体器件表面钝化技术 梁鹿亭编译编译者的话“自从半导体器件问世以来,表面问题一直是一个重要研 究课题.半导体表面是具有特殊性质的表面,对外界气氛极 为敏感,因而严重地影响半导体器件的特性。为了提高器件 的可靠性和稳定性,必须对表面采取有效的保护措施,这就是 硅平面晶体管之所以象今天这样发展,硅的热氧化膜对 表面稳定性作出了巨大的贡献,几年来,我们在从事半导体 器件的制作中,对表面漏电大、性能差和器件失效等问题进行 了探讨,后来认识到,SiO膜并不是完全理想的钝化膜,它对 水有很强的亲合力,对水汽和其它气体具有很高的渗透率,特 别是对碱金属离子(如Na离子)的阻挡能力很差.6iii 目录 第一部份半导体表面概论 1理想的MIS系统 1半导体表面的耗尽和反型 MIS电容参考文献 二、硅-二氧化硅界面的电学性质 硅表面杂质浓度的再分布 MOS结构中金属功函数的作用 表面电荷 辐射的影响 参考文献 三、表面对器件特性的影响 3反向漏电流和反向击穿电压 低频噪声系数N:小电流增益hFB 击穿电压的蠕变 电流放大系数的蜕化 MOS场效应器件 参考文献 4硅-二氧化硅-磷硅玻璃(Si-SiO-PSG)结构 一、半导体表面 1.
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