【半导体硅锗中的离子注入】科学.pdf
726188 半导体硅锗中的离子注人 [美)J.W.迈耶L.艾利克逊J.A.戴维斯著 余怀之朱祖芳等译 学
译者的话 离子束可用来在固体表面引人外来元素,离子注人掺杂 就是利用一定能量的离子,直接射到固体靶上,产生一定厚度 的掺杂表面层,从而改变表面的物理特性和化学特性。由于 离子注入的掺杂层可以精确控制注人原子的类型、浓度、浓度 分布和深度,并且不受平衡溶解度的支配,因此显示出其它技 术不具备的突出优点,而在生产优质半导体器件上开辟了全 自1952年Ohl首次利用质子、氨离子、氮离子和氢离子 轰击硅点接触二极管,从而改变了二极管特性,到1960年第 一个离子注入的p-n结的出现,经历了一个不甚迅速的发展 过程,近十余年来,离子注入掺杂技术已成为优质半导体器 件不可缺少的工序,注人工艺也日臻完善,并
9iii 目 第一章离子注人的一般特点 晶格定位和电学性质 注人原子的射程和射程分布 射程分布的实验方法 放射性示踪法 散射法 霍耳效应和电导率测量 结-染色法 电容电压法 2在无定形靶中的射程分布 实验工作 理论概述 修正因子 R值—实验和理论的比较 射程岐离 注入原子的平均浓度 在有氧化层衬底中的射程 可变能量注入 质子和氨离子射程 2在单晶中的射程分布 射程分布 晶格畸变 器件应用 引言 2 2 2 2.