[金属-氧化物-半导体集成电路]·科学社版

【金属-氧化物-半导体集成电路】科学.pdf金属-氧化物-半导体集成电路 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的 理论、设计、制造和在整机中的应用 [美)W.M.彭尼L.译者前言 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路是近十年来兴起的一门电子技术.由于它具有 工艺简单和集成度高等优点,所以发展很快,并且得到了日益广泛的应用.这门技术对 电子计算机和数字电路的发展起了重要的推动作用,无产阶级文化大革命以来,我国电子工业战线和全国各条战线一样,沿着毛主席的 革命路线胜利前进,在大规模集成电路及其基础材料方面,同样取得了很大的成绩.为了适应我国社会主义革命和建设事业的需要,我们遵照毛主席关于加强调查研究 和“洋为中用”的方针,翻译了这本《MOS集成电路》,供有关的同志参考。原序 时需要掌握的技术.人们可以用这些技术来划分一个系统,并为被划分了的系统准备详 细的逻辑设计,然后根据一种简化了的MOS器件的模型进行详细的电路设计,以便最后 能获得就尺寸、造价和执行功能的能力等方面来说为最佳的集成电路.本书包括的内容 还有MOS晶体管的基本的物理理论,并对在制造MOS大规模阵列时可能采用的几种工 艺作了介绍.本书主要是为在数字设备方面从事逻辑设计的工作人员和与系统打交道的人员编写 的.不过,书中包括的有关电路设计的数据以及关于布局方面的分析,对研制电路的工程 人员也是有用的.关于读者的文化水平,我们假定读者已具有电机工程或电子工程的基 础.
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