【超纯硅的制备和分析】科学.pdf
0442003 物理丛 超純硅的制备和分析 楊善济等澤
目录 者前言(v)硅的半导体性质 秋山健二 超純硅制备的化学工艺的研究方向 H.Hoffman 四氯化硅的吸附提純法.H.C.Theuerer 以氢气还原法制取純硅 藤田荣一 用西門子法制造高純度硅 瓜生敏三 由碘化法中間工厂制造高純度硅.C.S.Herrick,J.G.Krieble 由硅烷制备高純度硅 C.H.Lewis,H.C.Kelly,M.B.Giusto,S.Johnson用水平浮区法提純硅.上羽正信 用于高温熔炼过程的冷场.H.F.
者前言 在半导体材料硅的制备方面,要得到杂质含量更少(十亿分之 一或百亿分之一)和結晶不完整性尽可能低的可控单晶体,尚须进 一步努力,随着超純制备的发展,超純分析問题显得特别重要,为此,我們特从最近几年来国外杂志上发表的有关超純硅的制备 和分析的文献中精选出二十五篇成本丛,以供有关同志参 考.所收集的文章涉及英、俄、德、波、日等文字,其内容大致包括 半导体材料硅的化学制备、物理提純和晶体生长、单晶体的測試及 痕量杂的分析等部分.第一篇文章概述了硅的半导体性,第二篇試超純硅制备 的化学工艺的研究方向,第三、四、五三篇具体介绍了比较成功的 四氮化硅(和三氯硅烷)的提純及以氢气还原制备純硅的方法 