【半导体器件物理与工艺】科学.pdf

652724 建译版社半导体器件物理与工艺 [美]A.S.格罗夫著幽齐鸽学

齐建于北京工业大学译者前言遵照伟大领袖毛主席关于“洋为中用”的教导,我们翻译本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论,侧重于概念和原理的叙述,很少究长繁复的数学推导,比较简明扼要。全书共十二章,分三篇.第一篇共三章,分别介绍平面工艺中外延、氧化、扩散的原理,叙述比较细致,第二篇共五章,概述半导体物理的有关结论,并着重讨论p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理,内容一般。第三篇共四章,介绍半导体表面向题的各个方面,包括表面的一般理论,硅一二氧化硅系统性质,表面对p-n结的影响,以及表面场效应晶体管.

5iii 目录第一篇圆态工艺第二篇半导体和半导体器件 1生长的动力学气相质量转移气体的一些性质热氧化氧化物生长的动力学空间电荷对氧化的影响固态扩散流密度输运方程与简单扩激理论的偏离热氧化过程中杂质的再分布通过二氧化硅层的扩散(氧化物蔽)外延生长中杂质的再分布第四章半导体物理基础 4固体的能带理论 4半导体中的电子和空穴译者前言导言平面工艺第一章汽相生长 1 1 第二章 2 2 第三章 3 3 3扩散层 3 3 3.