【半导体器件物理】辽河实验工厂情报资料室.pdf

毛主席語录 学习外国的东西,是为了研究和发展中国的东 我们一定要有无产阶级的雄心壮志,敢于走前 人没有走过的道路,敢于攀登前人没有辈登过的高 中国应该大量吸收外国的进步文化,作为自己 文化食粮的原料,但是一切外国的东西,如同 我们对于食物一样,必须经过自已的口腔咀嚼和胃 肠运动,送进唾液肠液,把它分解为精华和糟拍网 部分,然后排泄其糟柏,吸收其精华,才能对我们 的身体有益,决不能生委活剥地毫无批判地吸收.中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将 来,赶上和超过世界先进水平.西.峰。
读者注意 中译本为了减少版面,将原书各章图表都按不同比例缩“PhysicsofSemiconductorDevicesS.M.SZEby John Wiley Sons,1nc 半导体器件物理 S.M.SZE(史西蒙)著 辽河实验工厂《半导体器件物理翻译组》译 东北工学院印剧厂印刷小影印。读者如感不便,请参阅原文。
8.表面电场对r-n结及金属一半导休 电容及反向电流击穿电压 第十一章薄膜器件 2.薄膜品体管(TFT)338 基本特性陷阱及表面态效应 金属中的热电子晶体管的比较 半导体一金属一半导体晶体管隧道 4.金属一体一金结 光电子器件 辐射跃迁发射光谱发光效率 激发方法砷化红外光源 基本特性光谱响应复合电流 及串联电阻辐射效应 光电导体耗尽层光电二极管 第十三 