【半导体工艺】中国人民解放军京字一八三部队北京.pdf

目录 50瓦、500兆赫超高频硅功率綫性晶体管(一)引言(二)器件设计考虑(三)器件设计计算(四)工艺过程的改进(五)封装和环境试验(六)器件鉴定(七)试验结果(八)结论二2千兆赫、1瓦超高频功率晶体管的研制(一)目的(二)引信(三)器件的设计和研制(四)器件的研制(五)电路评价.

50瓦、500兆赫超高频硅功率线性晶体管*本合同的自的是为了生产这种超高频功率晶体管.工艺和封装设计的进展被用到器件的设计中。在其中朵用了具有集成引线的复盖式工艺和双基极图形。器件在带线技术的电路中试验,给出了下面的结果:在500兆赫下输出功率 39瓦,5分贝的功率增益和70 的集电极效率.在400兆赫下输出功率43瓦,4分贝功率增盆和81 的集电极效率。在此合同的后阶段,因为器件是用在400兆赫频率上,所以改装了试验装置,以便在400兆赫下对全部产品进行试验。最后器件的集电极效率都远远超过合同的目的。在400兆赫下脉冲功率达到70瓦。

其中:W=基区宽度 D=在基区宽度内的平均扩散常数 =6厘米²/秒按予定的扩散制成的器件已表明,有效扩散常数是6厘米/秒,而不是通常朵用的更高的数值。在器件结构中基区宽度如做得最小就能降低基区渡越时间.3、集电极耗尽层渡越时间晶体管集电极一基极结有一个相应的耗尽区范围,它类似于发射极一基极结所获得的耗尽区范围。耗尽层渡越时间可以由下式计算:T=2V X其中:X=整个耗尽区的宽度 V=散射的限定速度=8×10厘米/秒亚且 Xm=V 28(V+V)qN1 其中:q=电子电荷 V+V;=外加偏压和接触电位 N=集电区的杂质浓度耗尽层渡越时间能够通过减小X来降