[半导体工艺]中国人民解放军京字一八三部队北京

【半导体工艺】中国人民解放军京字一八三部队北京.pdf目录 50瓦、500兆赫超高频硅功率綫性晶体管(一)引言(二)器件设计考虑(三)器件设计计算(四)工艺过程的改进(五)封装和环境试验(六)器件鉴定(七)试验结果(八)结论二2千兆赫、1瓦超高频功率晶体管的研制(一)目的(二)引信(三)器件的设计和研制(四)器件的研制(五)电路评价.50瓦、500兆赫超高频 硅功率线性晶体管*本合同的自的是为了生产这种超高频功率晶体管.工艺和封装设计的进展被用到器件的设计中。在其中朵用了具有集成引线的复盖式工艺 和双基极图形。器件在带线技术的电路中试验,给出了下面的结果:在500兆赫下输出功率 39瓦,5分贝的功率增益和70 的集电极效率.在400兆赫下输出功率43瓦,4分贝功率增 盆和81 的集电极效率。在此合同的后阶段,因为器件是用在400兆赫频率上,所以改装了试 验装置,以便在400兆赫下对全部产品进行试验。最后器件的集电极效率都远远超过合同的目 的。在400兆赫下脉冲功率达到70瓦。其中:W=基区宽度 D=在基区宽度内的平均扩散常数 =6厘米²/秒 按予定的扩散制成的器件已表明,有效扩散常数是6厘米/秒,而不是通常朵用的更高 的数值。在器件结构中基区宽度如做得最小就能降低基区渡越时间.3、集电极耗尽层渡越时间 晶体管集电极一基极结有一个相应的耗尽区范围,它类似于发射极一基极结所获得的耗 尽区范围。耗尽层渡越时间可以由下式计算:T=2V X其中:X=整个耗尽区的宽度 V=散射的限定速度=8×10厘米/秒 亚且 Xm=V 28(V+V)qN1 其中:q=电子电荷 V+V;=外加偏压和接触电位 N=集电区的杂质浓度 耗尽层渡越时间能够通过减小X来降
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