【一九七七年砷化镓及其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体会议文集】上海科学技术文献.pdf

前言在英明领袖华主席抓纲治国战略决策指引下,稀有金属科技情报网半导体技术交流会于一九七七年四月五日至十二日在广西壮族自治区柳州市举行。出席大会的有冶金部、中国科学院、二机部、四机部、五机部、邮电部、十个省、市、自治区及高等院校等四十四个单位共一百多名正式代表和特邀代表.大会交流了我国化合物半导体在科研、生产和使用等方面自一九七二年砷化学术交流会以来所取得的成果和经验.对科研、生产和使用中的一些重大问题进行了座谈讨论.提出了发展化合物半导体的材料、器件、测试和应用等方面的初步设想和建议。

14.高纯砷化水平单晶的制备和热处理.沈阳冶炼厂东北工学院中国科学院邹元陆乃琨(执笔)上海冶金研究所三结合研究小组 15.水平区熔法生长掺硅砷化单晶中科院上海冶金所莫培根廖丽英谭丽芳陆启东顾霞敏16.水平法生长掺碲<112>砷化单晶.长春半导体厂张士剑17.激光窗口材料高阻碑化的初步研究上海金陵无线电厂李谋忠杨金华中国科学院上海冶金研究所水海龙徐涌泉 18.液封法生长低位错大直径<100>砷化单晶复旦大学余志海余夕同(执笔)19.液封直拉法生长掺硅砷化单晶.

48.磷化绿色发光的初步探索北京有色金属研究所陈其晖姜学昭等49.用直拉法在高压单晶炉内制备磷化钢材料四机部一四一三研究所孙同年(执笔)50.掺铬半绝缘磷化钢单晶的制备.上海有色金属研究所陆建村舒渝生泰芳陈钟铭江魁元51.水平区熔法拉制磷化钢单晶峨嵋半导体材料研究所第三研究室52.半绝缘衬底上磷化钢的气相外延.上海有色金属研究所陆文龙陈从芳廖正白岑泳霞纪洪先53.磷压法生长GaASi-xP的最佳条件和特性复旦大学方志烈(执笔)54.