[一九七七年砷化镓及其它III-V族化合物半导体会议文集]上海·科学技术文献社版

【一九七七年砷化镓及其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体会议文集】上海科学技术文献.pdf前 言 在英明领袖华主席抓纲治国战略决策指引下,稀有金属科技情报网半导体 技术交流会于一九七七年四月五日至十二日在广西壮族自治区柳州市举行。出 席大会的有冶金部、中国科学院、二机部、四机部、五机部、邮电部、十个省、市、自 治区及高等院校等四十四个单位共一百多名正式代表和特邀代表.大会交流了我国化合物半导体在科研、生产和使用等方面自一九七二年砷 化学术交流会以来所取得的成果和经验.对科研、生产和使用中的一些重大问 题进行了座谈讨论.提出了发展化合物半导体的材料、器件、测试和应用等方面 的初步设想和建议。14.高纯砷化水平单晶的制备和热处理.沈阳冶炼厂东北工学院中国科学院 邹元 陆乃琨(执笔)上海冶金研究所三结合研究小组 15.水平区熔法生长掺硅砷化单晶 中科院上海冶金所莫培根廖丽英谭丽芳 陆启东 顾霞敏16.水平法生长掺碲砷化单晶.长春半导体厂 张士剑17.激光窗口材料高阻碑化的初步研究 上海金陵无线电厂 李谋忠 杨金华中国科学院上海冶金研究所 水海龙徐涌泉 18.液封法生长低位错大直径砷化单晶 复旦大学余志海 余夕同(执笔)19.液封直拉法生长掺硅砷化单晶.48.磷化绿色发光的初步探索 北京有色金属研究所陈其晖姜学昭等49.用直拉法在高压单晶炉内制备磷化钢材料 四机部一四一三研究所孙同年(执笔)50.掺铬半绝缘磷化钢单晶的制备.上海有色金属研究所 陆建村舒渝生泰芳 陈钟铭江魁元51.水平区熔法拉制磷化钢单晶 峨嵋半导体材料研究所第三研究室52.半绝缘衬底上磷化钢的气相外延.上海有色金属研究所 陆文龙 陈从芳廖正白岑泳霞 纪洪先53.磷压法生长GaASi-xP的最佳条件和特性 复旦大学方志烈(执笔)54.
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