【国外大规模集成电路基础材料】上海科学技术文献.pdf

前言近年来,国外各资本主义国家为了进一步发展大规模集成电路,在基础材料方面作了大量工作,制定了各种大规模集成电路基础材料的标准。为了配合全国大规模集成电路及其基础材料的大会战,在一、二年内把大规模集成电路突上去,努力赶超世界先进水平,我们编写了这份材料,全文共分八个部分一硅材料、扩散源、光刻胶、掩模版、超纯水、超纯气体、超纯化学试剂、空气净化等,概要地介绍国外大规模集成电路用基础材料的发展水平和动向,供有关领导和从事大规模集成电路研制和生产的技术人员、工人参考。在编写过程中,得到1424所王兆渠同志的大力支持,帮助撰写了“超纯气体”和“超纯水”两部分,特此致谢。

硅材料大规模集成电路的发展,不仅对硅单晶瓦克公司是欧洲最大的生产硅材料公司。英材料的纯度及单晶的完整性提出了严格的要国主要是孟山都公司和德克萨斯公司,这二求,而且在高质量的前提下,对硅单晶直径个公司都是美国的子公司。法国是皮契耐-也提出了大型化的要求。而作为大规模集成圣哥本(Pechiney-Sainggoboin)公司。比电路重要物质基础的硅材料近年来也取得了利时主要是霍鲍根(Hoboken)和蒙塔内迅速的发展。硅材料的产量、质量逐年都有大(Montayne)公司。丹麦有霍尔德托普索尔幅度提高,品种多样,成本不断下降。1969(Jopsal)公司。

表2硅片直径与管芯增长情况硅管芯面积片片增直面长 3毫米见方 5毫米见方 7毫米见方 10毫米见方径积率比管芯数增长率管芯数增长率管芯数增长率管芯数增长率 2英寸1 3英寸2 2 2 2 4英寸4 4 4 5 6 加,晶体在结晶过程中的结晶潜热的释放也据报道,西德瓦克公司可达到5～7 ,大幅度增加,为了保证晶体的完整性,国外这说明他们的单晶硅初步消除了杂质条纹,一般在拉晶过程中采用大流量氩气顶吹。为晶体电阻率的微区不均匀度也达到了较高的了降低成本,回收氩气,国外在拉制大直径水平。