【带霍尔变送器及磁阻变送器的装置】上海科学技术.pdf

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带霍尔变送器 及磁阻变送器的装置 苏联 B.H.鲍戈馬洛夫著 張先尧叶新安原序 自从1949年出现牛导体管以后,就立即着手改进高度 物质的提工艺。同时还发現高度的半导体物质具有一些 特有的性质。例如,經过提純物质的,其中所发生的某些物理 现象就极为显著,因而能够利用这些現象来制成一些仪器,解 决萨多实际問题。覆尔效应和在磁場中电阻发生变化的效应(或称磁阻效应),就属于这一类现象.霍尔效应是1879年发现的。它的基本概念是:如果把 通有电流I的导体放在磁場强度为且的磁場中,而磁場强度 方向又垂于电流方向,那么在垂直于电流与磁場的方向上,就会产生一个正比于电流和磁場强度的电动势(参閣图1):UIH 了解这个现象之后,就可以提出一个这样的机构:在一个 圈中通以电流妨回顾一下,大多数放大装置,例如,电子管或半导体管,同样 是一些可以調节的电阻,但它們具有在电气上不能与控制訊 号隔离开来的缺点。这种效应的应用范圍之-一是产生电振 和放大电流(其中包括直流),但必须把磁阻元件(变送器)保 持在低温的条件下,这是它的应用受到限制的原因。虽然将 霍尔变送器冷却也可以提高其效能,对磁阻变送器来,冷却 与否会严重影响到該效应的大小和能否将磁阻元件用到实际 装置中去.这两种效应都是近年来迅速获得实际应用的物理学上的 成就。