【单层定域纳米硅的制备及其性质研究】李健.pdf
学 号:论文答辩日期:年月日 指导教师:(签字)
誉目 中文摘要 英文摘要 第一章序言 1纳米硅(nc-Si)材料研究的背景和意义 1nc-Si制备技术评述及急待解决的问题 1实现可控nc-Si结构的研究思想 [参考文献] 第二章制备技术、微结构、光电性质的研究方法 2引言 2激光诱导限制结晶技术 2nc-Si微结构与性质的研究方法 [参考文献] 第三章超薄单层定域纳米硅的制备和性质研究 3引言 3微结构特性的研究 [参考文献] 第四章热退火方法制备纳米硅及其性质研究 4热退火制备硅纳米晶粒 4光学特性的研究 4电学特性的研究 4.
单层定域纳米硅的制备及其性质研究 Abstract Silicon based nano-electronic devicehasbeen a subjectof the greatinterest due to itspotential application.As thekeystep of the application of the nano-device,the research onthefabrication of the single-layer,size-controlled andpatternednc-Si dots becomes ahot point theseyea