[硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究]程雪梅

【硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究】程雪梅.pdfMG9722018 论文答辩日期:c年6月2日 指导教师:有(签字)南京大学硕士学位论文 程雪梅:硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究 摘要 本文对硅基富Ge-Si-xyGeC,合金薄膜热氧化发光和退火性质以 及硅基SiGe/SiC异质结构进行了系统的研究,取得了有意义的 结果。本论文的主要结果有:1.研究并发展了以乙烯(CH)为C源,在等离子体化学气相 淀积(PECVD)的过程中采用非平衡掺碳的方法,在国内首 次成功地在硅衬底上生长出富Ge-Si,xGeC,合金的多晶薄 膜。并采用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等方法对 硅基富Ge-SixGeC合金薄膜进行表征.2.南京大学硕士学位论文 程雪梅:硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究 Abstract Inthisdissertationwehavestudiedindetailsthephotoluminescence from the thermallyoxidized Sip.x.yGeCyalloy thin films onSi substrates,thermal annealing of Ge rich SixGeCyalloy thinfilms on Sisubstrates,and silicon based Si,Ge/Si,,C,hetero
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