[硅基IV族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟]刘夏冰

【硅基Ⅳ族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟】刘夏冰.pdf学号:MG9722041 论文答辨日期:2000年6月2日 指导教师:韩平(签字)南京大学硕士学位论文刘夏冰:硅基IV族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟 摘要 近年来Si基IV族半导体合金材料由于具有与Si工艺兼容 的优点,在异质结构材料领域受到高度的重视。本文对Si基SiGex 材料、Si.xGeC材料的生长进行了研究,并用MonteCarlo方法 对IV族半导体材料的生长进行了模拟。本论文的主要结果如下:1.对快速热过程超低压化学气相淀积(RTP/VLP-CVD)设备进 行了稳定气流和温场方面的改进,在原有设备中加装了扁管 和长石墨温区,改善了材料生长的可重复性。并在此基础上 采用低温双缓冲层(Si-buffer和Si.南京大学硕士学位论文刘夏冰:硅基IV族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟 Abstract Recently,due to the compatibility with the Si processing, the group-IVsemiconductors standout ofmuchhetero-structure material and attractmuch attention.Here,wehave studied the growthof Si GeandSi.GeC,material onSi substrate.
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