【氮化镓和铁电体氮化镓异质结构的研究】李卫平.pdf
号:MG9722040 论文答辨日期:2000年6月1日 指导教师:沈波(签字)
目录 摘要 第一章绪论宽禁带GaN材料体系的研究动向1本文的主要研究内容和结果 第二章铁电体/GaN异质结构的制备和电学性质的研究2引言铁电体/GaN异质结构的制备和表征2GaN基金属一铁电体一半导体(MFS)结构电学性质研究2A1GaN/GaN的MFS结构的制备和电学性质的研究.52本章小结 参考文献 第三章利用金属一绝缘体一铁电体一硅(MIFS)结构研究 铁电体/硅的界面电学性质.S3引言3Si基MIFS结构的制备和改进 3.
英文摘要 Abstract Ferroelectric/GaNheterostructures.ferroelectric/Siheterostructuresandthegrowth ofGaNmaterialarestudiedinthisthesis.Belowarethemajorresults: 1.Light-radiation heating low-pressure metalorganic chemical vapor deposition(LRH-LP-MOCVD)andpulsedlaserdepositionhavebeenemployedtofabricate Pb