【纳米结构MOSFET中的低频噪声特徵】卜惠明.pdf
学 号:MG9722036 论文答辨日期:2000年6月(日 指导教师:施毅(签字)
南京大学研究生毕业论文中文摘要首页用纸 摘要 作为信息时代支柱的硅集成电路技术正在迅速发展,器件的线宽已经进入深业 微米甚至纳米电子学的图形范畴。在这样小的尺寸下,MOS器件中由于沟道电导的 涨落引起的低频噪声越来越显著,并将严重影响器件的可靠性。本文从理论和实验 上系统研究了纳米结构MOSFET中的低频噪声信号,主要结果如下:1.讨论了低频噪声的数学原理,并以此为基础研究分析了MOSFET中载流子数 波动模型和迁移率波动模型下的随机电报信号(RTS)噪声的俘获时间和发 射时间与栅压的关系。
南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸 4.The LFnoise powerwas found toincreasewith the channel width decreasing by studyingLFnoiseinMOSFETswithvarious channel widths.Thecarrier numberfluctuationhasbeenfoundtodominateinrelativewidechannels Whilein MOSFETswith ultra-narrow channels,the observations strongly suggest that