【锗硅纳米结构及存储器应用研究】吴军.pdf
业:微电子学与固体电子学 师:施毅教授、顾书林副教授:MicroelectronicsandSolidStateElectronics 错/硅纳米结构及存储器应用研究(申请硕士学位)作者姓名:吴军 南京大学物理系 二000年六月二日 TheStudyonGe/SiNanostructuresandthe ApplicationoftheMemory(Desiremasterdegree):WuJun Supervisor:Prof.SHI Yi,Vice-Prof.
南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸 ABSTRACT Nanostrucures haverecentlybecomethefocus ofextensive researchbecause of their novel physical phenomena and great potential applications.Si-based nanocrystals have been considered as most promisingapplicationof MOSFETmemoriesinfutureVLSI.In thepresentthesis.
79 9吴军:错/硅纳米结构及存储器应用研究 利用化学选择腐蚀制备Ge/Si复合纳米结构 目录 纳米结构及存储器应用的研究现状 利用自组织生长法制备锗纳米晶粒 VLPCVD外延生长系统介绍 锗纳米晶粒的自组织生长 锗纳米晶粒VLPCVD自组织生长研究 NHOH溶液的化学选择腐蚀 南京大学硕士论文 前言 本论文的主要内容 第二章锗纳米晶粒VLPCVD自组织生长研究 前言 2 2.