【高氢稀释PECVD制备的muc-SiH和muc-SiGeH薄膜的微结构及电学输运性质研究】黄少云.pdf

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高氢稀释PECVD制备的μc-Si:H和uc-SiGe:H薄膜的 微结构及电学输运性质研究(申请硕士学位) 作者姓名:黄少云 专业:微电子与固态电子学 导师:陈坤基教授 南京大学物理系 二零零零年五月二十五日 Investigationofmicrostructuresandelectrical transport properties of μc-Si:H and μc-SiGe:H thin films prepared by very high hydrogen diluted PECVD method(Desire master degree) Author:HUANG Shaoy硕士毕业论文 黄少云 2000年5月 《高氢稀释PECVD制备的uc-Si:H和uc-SiGe:H薄膜的微结构及电学输运性质研究》 摘要 氢化微晶硅(uc-Si:H)及微晶锗硅(uc-SiGe:H)薄膜作为一种新型的光电功能材 料,它们在太阳能电池,液晶平面显示器等方面具有广泛的应用前景。但是由于此 类薄膜晶态与非晶态混合结构的特点,使得对于它们的生长机制研究和电学输运特 电学输运特性的研究成为目前的热点.本研究工作采用氢稀释硅烷和锗烷(定义氢稀释度R=[H]/(SiH]+[GeH4])作气 体源,由PECVD制备一系列uc-Si:H、μc-SiGe:H薄膜样品,与常规不同的是,本论 文利硕士毕业论文 黄少云 2000年5月 《高氢稀释PECVD制备的uc-Si:H和uc-SiGe:H薄膜的微结构及电学输运性质研究》 第一章绪论 1、研究意义 氢化非晶及微晶硅(a-Si:H、uc-Si:H)及其合金近年来被越来越广泛应用于大面 积薄膜半导体领域。此类材料的低成本和其低温制备特性不仅并辟了一个新兴的诸 如:太阳能电池、平板显示器、摄像头和打印机头的光电子器件领域,并且也成为 了大面积微电子学的基石。但是由于a-Si:H薄膜材料缺乏长程序,所以由这些材料 际应用。