【硅基多孔氧化铝薄膜及其在光电子集成中的应用】吴俊辉.pdf
学 号:论文答辨日期:年 月 日 指导教师:(签字)
摘要 摘要 发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料研究开辟了新思路。实现硅基 低维结构,利用量子限制效应发光,成为当今研究重点。探索既与硅平面工艺相 兼容,又空间有序、尺寸均匀、可控性好的硅基纳米发光材料尤为重要。本论文 探索的途径:首先是利用自组织法,在硅基上制备理想的模板,然后利用物理或 化学方法,在模板内沉积半导体材料硅,期望得到具有发光性能的纳米结构,作 为光电子集成应用器件雏形.一.将多孔氧化铝结构和技术移植到硅基上。论文介绍了根据I-t曲 线实时控制阳极氧化反应的方法,制备硅基多孔氧化铝薄膜。
ABSTRACT ABSTRACT The discovery of luminescent porous silicon(PS)has opened a newway for long- seekingresearchofSi-basedlight-emittingmaterials.TorealizeSi-basedlow dimensional structures has been thekey approach to achievinghighlyefficient light emission due to quantum confinement effect.