【离子注入技术】张光华锺士谦.pdf
离子注入技术 张光华钟士编著
前言 从三十年代开始,人们便已把离子束作为辐照的一种手 段,模拟核反应堆材料中的辐射损伤。五十年代开始,人们 应用离子束做为掺杂手段来改变固体表面层的性质。六十年 代初,研制成功了磷离子注入硅的大面积浅结二极管,第一 次获得离子注入的核粒子探测器,奠定了离子注入在半导 体、金属、磁性材料、绝缘体和超导材料中应用的基础。近 二十年来,关于离子注入的物理理论、离子注入装置、离子 注入各种材料后的性能以及离子注入技术的应用等方面,都 应用离子注入技术进行掺杂的显著特点是,能够精确控 制离子的掺杂浓度分布、直进性强、加工温度低等,在操作 上有一定的灵活性,且易于控制。
V注人离子的位置 化合物半导体中的离子注入 I-V族化合物半导体中的离子注入 I-VI族化合物半导体中的离子注入 其它化合物半导体中的离子注入 退火及保护膜 双注入 离子注入参数的测量 离子微探针法 中子活化分析法 核反应分析 离子感生X射线 Rutherford背散射 沟道效应 电子自旋共振法 Raman散射 反射和透射电子衍射 光学反射率法