[半导体中离子注入]英加特GarterG英格兰特GrantWA

【半导体中离子注入】英加特GarterG英格兰特GrantWA.pdf华导体中离子注入 G.加特 英 著 W.A.格兰特 张光华 译 赵越 黄永宝校 网防工掌版社译者的话 离子注入是低能核物理和固体物理之间的-门边缘学科,近 二十年来,离子注入的理论和应用在国外已有很大的发展,六十 年代初,林哈德等人建立了离子注入无定形周您的理论,奠定了 离子注入技术发展的理论基础,而大量的实验工作正在探索离子 注入固体的各种物理(包括光学、机械、电学和热学)性质。离 子注入在半导体方面的应用最为突出,已经成为半导体集成电路 和电子器件制造中的一项重要新技术。目前,已开始离子注入金 属、绝缘体,磁性材料和超导材料方面的研究.本书是根据G.特、W.A.第1章引言 1历史的回顾 应用离子束改变固体表面层的性质是一个较为近期的发明.它在固体电子器件的生产方面起了促进作用,并得到了广泛的应 用。1948年研制出第一个晶体管后,1956年实现了用离子注入法 有控制地引入电活动的掺杂剂,并将许多专利归了档。第一个应 用是在核粒子探测器的制造方面。因为掺杂用的离子束容易进 行大面积扫描和借离子能量控制穿透深度,所以这一新技术适用 于这些大面积的浅结二极管。起初,离子注入的应用发展较慢,约从196年开始加快,到七十年代的早期,生产电子器件的主 要厂家便都积极采用这项新技术。
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