【半导体中离子注入】英加特GarterG英格兰特GrantWA.pdf

华导体中离子注入 G.加特英著 W.A.格兰特张光华译赵越黄永宝校网防工掌版社

译者的话离子注入是低能核物理和固体物理之间的-门边缘学科,近二十年来,离子注入的理论和应用在国外已有很大的发展,六十年代初,林哈德等人建立了离子注入无定形周您的理论,奠定了离子注入技术发展的理论基础,而大量的实验工作正在探索离子注入固体的各种物理(包括光学、机械、电学和热学)性质。离子注入在半导体方面的应用最为突出,已经成为半导体集成电路和电子器件制造中的一项重要新技术。目前,已开始离子注入金属、绝缘体,磁性材料和超导材料方面的研究.本书是根据G.特、W.A.

第1章引言 1历史的回顾应用离子束改变固体表面层的性质是一个较为近期的发明.它在固体电子器件的生产方面起了促进作用,并得到了广泛的应用。1948年研制出第一个晶体管后,1956年实现了用离子注入法有控制地引入电活动的掺杂剂,并将许多专利归了档。第一个应用是在核粒子探测器的制造方面。因为掺杂用的离子束容易进行大面积扫描和借离子能量控制穿透深度,所以这一新技术适用于这些大面积的浅结二极管。起初,离子注入的应用发展较慢,约从196年开始加快,到七十年代的早期,生产电子器件的主要厂家便都积极采用这项新技术。