[纳米结构MOSFET存储器特性的模拟]杨红官

【纳米结构MOSFET存储器特性的模拟】杨红官.pdf学 号:MG9822042 论文答辩日期:2001年6月19日 指导教师:施毅(签字)南京大学硕士学位论文杨红官:纳米结构MOSFET存储器特性的模拟 南京大学研究生毕业论文中文摘要首页用纸 毕业论文题目:纳米结构MOSFET存储器特性的模拟 微电子学与固体电子学专业98级硕士生姓名:_杨红官 指导教师(姓名、职称):施毅教授、郑有灶教授 摘要 纳米结构MOSFET存储器以其小体积、低功耗、高速度、多阈值、耐久性 好及易于逻辑电路集成等优点引起了广泛的兴趣,人们从理论上、实验上和工 艺上对其进行了深入的研究。它的最显著的特点是在其工作(擦写)过程中只 涉及少量电子(少于10个)甚至单个电子,这是因为它的存储中心一一纳米 晶粒(亦称量子点,在本文中二者同义)的尺寸在纳米量级,量子南京大学硕士学位论文杨红官:纳米结构MOSFET存储器特性的模拟 南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸 THESIS:Simulation of nanocrystals based MOSFETmemories SPECIALIZATION:Microelectronics andSolidStateElectronics POSTGRADUATE:Hongguan Yang MENTOR: Prof.YiShiProf.YoudouZheng ABSTRACT TheMetal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor(MOSFET)memo
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