【镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的电荷存储现象】鲍云.pdf

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镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的电荷存储现象(申请硕士学位)作者姓名:鲍云 专 业:微电子学与固体电子学 导 师:黄信凡教授 南京大学物理系 二〇〇一年六月六日 TheChargeStorageinnc-SiEmbeddedinUltrathinSiOFilm(Desire formaster degree) Author:Bao Yun Major:MicroelectronicsandSolidStateElectronics Supervisor:Prof.摘要 近年来,基于硅纳米品粒(又称硅量子点)的MOS结构的电容存储现象由 于其在未来的集成电路中具有广泛的应用前景,引起了人们的广泛兴趣。在 这种结构中,硅量子点被嵌埋在氧化层中作为电荷存储单元,通过电荷隧穿 出入量子点,达到控制阈值电压的目的。本论文采用等离子体增强的化学气 相沉积(PECVD)生长技术,原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的纳米结构。实验 中,我们首次采用等离子体氧化的方法,获得了作为隧穿氧化层的超薄SiO2 层,并利用layerbylayer的方法制备了纳米硅层,然后再用等离子体氧化的 方法形成栅氧化层。Abstract Recently more attention is paid to MOSmemory based on nano-crystallite silicon(silicon quantum dots)due to its new physics phenomena and the wide applied foreground in IC.In this device, quantum dots buried in oxide are units for storing charge.