[溅射的TaNiFeTa三层膜中反常磁滞的实验和理论研究]龙建国

【溅射的TaNiFeTa三层膜中反常磁滞的实验和理论研究】龙建国.pdf学 号:MG9822016 论文答辩日期:二零零一年六月 日 指导教师:供牧(签字)溅射的Ta/NiFe/Ta三层膜中反常磁滞的实验和理论研究 摘要 众所周知,正常的磁滞回线有一个共同的特性:当外场从正饱和降到零时,材料的剩磁都是正的的。早在70年代,就在无定形的Gd-Co薄膜中利用MOKE 发现存在负剩磁的反走向磁滞回线。所谓反走向,是指在这种回线的下降支,当 外磁场仍为正值时,磁化强度已变为负值:而在这种回线的上升支,当外磁场仍 为负值时,磁化强度已变为正值。最近,这种具有负剩磁的磁滞回线又陆续在不 同的体系中发现。本论文在对用射频磁控溅射方法制备的Ta/NiFe/Ta三层膜的 结构和磁性的研究中也发现这种现象。溅射的Ta/NiFe/Ta三层膜中反常磁滞的实验和理论研究 目录 摘要 Abstract目录 li 第一章绪论磁性的维度效应界面磁矩反常界面各向异性界面的交换耦合.参考文献 第二章基本实验方法及测试原理2薄膜的制备2结构表征与物性测量参考文献.第三章溅射的Ta/NiFe/Ta三层膜的微观结构特征和磁性的研究S3引言S3薄膜样品的制备薄膜样品的结构分析3磁性测量结果3小结.参考文献.
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