【半导体氧化物的电声子互作用和光子能带研究】何云龙.pdf
半导体,氧化物的电声子互作用和光子能带研究 Electron-phononInteractionandPhotonicEnergyBandsin SemiconductorsandOxides 何云龙 He Yunlong Applyingfor DegrceofMasterofScience 南京大学物理系 DepartmentofPhysics NanjingUniversity 2001年6月2日 June 2,2001
摘要 毕业论文题目:氧化物,半导体的电声子互作用和光子能带研究 专业:凝聚态物理(98级)硕士生姓名:何云龙 指导教师:张明生教授,尹真教授 本文研究工作分为三个部分:1、GaAs/GaAlAs半导体量子线的电声子散射,2、TiO2纳米晶的声子限制效应,3、时域有限差分法研究TiO2和GaAs光子 晶体能带.半导体量子线具有优良的电导性质,因此近年来有很多关于量子线的输运性 质的研究。我们采用有效质量近似和三维声子模型,计算了GaAs/GaAlAs量子 线的电子一声学声子散射,同时考虑了电子有效质量失配(EEMM)对散射的影 响。
Using time-domain-finite-difference method,we calculated photonic band structures of TiOand GaAswith large dielectric constantunder triangle model.Itis found thatthegap is easier tooccurin these materials and the dielectric constant threshold for occurringof the photonicband-gapis about 2.