【锗多孔硅和铌酸锂二氧化硅硅结构的发光特性】唐宁.pdf

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锗/多孔硅和锯酸锂/二氧化硅/硅结构 的发光特性(申请硕士学位) 作者姓名:唐宁 专 业:微电子学与固体电子学 导 师:吴兴龙教授 南京大学物理系 2001年5月15日Abstract Areasonablewaytodevelopoptoelectronicintegrationisbasedonthe developed silicon-based microelectronicintegrated technology.Therefore,thekeyto develop optoelectronics is to explore silicon-basedlight source,thatis,silicon-based light emitting materials.南京大学硕1学位论文 第一章 第一章绪论 51-1探索硅基发光材料的意义 以集成电路为主体的微电子技术,信息载体是电子。晶 体中电子的传输速度有限,严重地限制了信息处理的速度与 能力,如果以光作为信息的载体,将彻底突破这一限制,所 以几乎在六十年代初硅集成技术出现的同时,即提出了光电 子集成的设想,此后微电子集成和光电子集成一直是相互促 进,相互借鉴又相互竞争的。微电子集成借助于硅的优越性 质发展了高精度的硅平面技术,设计了理想的器件结构,形 成了材料、工艺技术和器件之间极为和谐的匹配,使微电子 技术以惊人的速度发展。