【注MgGaN的光学性质与GaN高温输运特性的智能化测试】谢世勇.pdf

论文答辩日期:2001年6月4日指导教师:郑作料(签宇) 学号:MG9822041

May 目录摘要.Abstract 第一章绪论 S1GaN基材料的基本性质与应用背景 .2本文的主要工作和结果参考文献第二章GaN材料的p型掺杂概述 S2GaN背景电子载流子的产生机制S3GaN材料p型掺杂的问题与机制.S4掺Mg-GaN的激活方法.S5GaN材料p型掺杂其它途径.S6结论参考文献第三章离子注入掺Mg:GaN的光学性质与能级结构1概述.2实验 .3结果与讨论.4结论参考文献第四章变温霍耳智能测试系统的设计与实现

摘要 GaN、AIN、InN及其AlGaN、InGaN合金所组成的II族氮化物,是近年发展起来的新型宽带隙半导体材料。IⅡI族氮化物是直接带隙半导体,其带隙宽度1eV.6eV,覆盖可见光到紫外波段、具有高度的化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强、强压电性质以及高热导率等优越的物理、化学性质,是发展可见光到紫外波段半导体发光器件、光探测器件以及高温、高频、大功率电子器件的理想材料.但目前,在GaN器件制作上还存在很多困难,尤其是p型掺杂水平一直不高。同时,对这一类材料的高温输运特性的研究也不多。