[硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究]袁晓利

【硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究】袁晓利.pdf学 号:DG9722028 论文答辩日期:2001年5月15日 指导教师:施毅(签字)南京大学研究生毕业论文中文摘要首页用纸 毕业论文题目:_硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究 微电子学与固体电子学专业97级博士生姓名:一袁晓利 指导教师(姓名、职称):施毅教授、郑有料教授 摘要 在室温下工作的硅纳来晶粒MOSFET存储器其有体积小、能耗低、与现有的集成电 路相兼容等优点,在未来的超大集成电路中有着重要的应用前景。在这种器件中,纳米 品粒作为基本的电荷存储单元,由于其三维量子尺寸效应和库仑荷电效应等,使存储器 的荷电特征不同于常规器件。纳来晶粒的大小、形状、密度、以及器件沟道的宽窄、形 状等对存储性能都将产生很大的影响。南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸 THESIS:CharacteristicsofSilicon-nanocrystals-basedMOSMemories SPECIALIZATION:MicroelectronicsandSolidStateElectronics POSTGRADUATE:YuanXiaoli MENTOR: Prof.YiShiYoudouZheng ABSTRACT Silicon-nanocrystals(Si-NCs)-based memories working at room temperature have recently attractedgre
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