【硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究】袁晓利.pdf

学号:DG9722028 论文答辩日期:2001年5月15日指导教师:施毅(签字)

南京大学研究生毕业论文中文摘要首页用纸毕业论文题目:_硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究微电子学与固体电子学专业97级博士生姓名:一袁晓利指导教师(姓名、职称):施毅教授、郑有料教授摘要在室温下工作的硅纳来晶粒MOSFET存储器其有体积小、能耗低、与现有的集成电路相兼容等优点,在未来的超大集成电路中有着重要的应用前景。在这种器件中,纳米品粒作为基本的电荷存储单元,由于其三维量子尺寸效应和库仑荷电效应等,使存储器的荷电特征不同于常规器件。纳来晶粒的大小、形状、密度、以及器件沟道的宽窄、形状等对存储性能都将产生很大的影响。

南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸 THESIS:CharacteristicsofSilicon-nanocrystals-basedMOSMemories SPECIALIZATION:MicroelectronicsandSolidStateElectronics POSTGRADUATE:YuanXiaoli MENTOR: Prof.YiShiYoudouZheng ABSTRACT Silicon-nanocrystals(Si-NCs)-based memories working at room temperature have recently attractedgre