【掺杂和应力对铁电材料微结构和性能影响的研究】覃红侠.pdf
学 号:DG72200 8 论文答辨日期:2001年2月20日 指导救师:(签字)
摘要 本学位论文着重于掺杂对铁电陶瓷和薄膜结构和性能的影响,以及应力对 PZT薄膜取向生长的影响的研究.SrBiTaO(SBT)薄膜制备的电容器,具有耐疲劳.长的极化保持等优点,但 其低剩余极化值,低居里点及高制备温度,都限制了SBT薄膜在实际中的应用.很多文献报道了由SBT和BiTiNbO(BTN)形成的固溶体材料,可以弥补SBT材 料的不足,提高了剩余极化和居里点,降低了工艺合成温度等等。但是,有关这 些固溶体材料性能变化的机理研究,尚未见报道。
Abstract This dissertation includes the studies of influences of doping onmicrostructure and properties of ferroelectric ceramics and films,and of stress on growth orientation of sol-gel-derivedPZT thinfilms.By usingRaman spectroscopyandX-ray diffraction analysis toinvestigate the microstructure an