[改善mevva源引出束流密度分布均匀性的研究]程诚

【改善mevva源引出束流密度分布均匀性的研究】程诚.pdf改善MEVVA源引I出束流 密度分布均匀性的研究 程诚 1996年6月—1997年6月摘要 本文的自的是为了改善MEVVA源引I出束流密度分布的均匀性。采用了 以下四种研究方法:1.等离子体压缩.2.外加磁场:3.加阳极小球和 阳极网.4.加引I出栅极网。文中简要介绍了MEVVA源的结构、原理和特 点,并根据实验要求设计改变了MEVVAIIA-H源的部分结构。本文依据实 验测量的结果,绘制了大量的引出束流密度分布曲线和束流引出特性曲线,详细地比较了在各种不同的作用因素下,引出束流的密度分布和束流引出特 性的变化情况。最后给出了几种改善MEVVA源引I出束流密度分布均匀性的 方法,以及改善结果。5 8 8录目 1MEVVA源的基本结构及其工作原理 S1改善MEVVA源性能的研究 2测量方法和实验原理 第三章MEVVAⅡIA-H源基本特性的测量 3改变引出电压和弧流的实验 第四章改善MEVVA源引出束流密度分布均匀性的研究 4等离子体压缩的方法4实验结果与分析+3加阳极小球和阳极网的方法 S4磁场和双层阳极网 S4磁场和双层引出栅极网 S4双层阳极网、改变弧流和磁场 1MEVVA源简介 第二章实验原理及测量方法 2.
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