[光伏谱技术在半导体材料研究]中的应用陈宜保

【光伏谱技术在半导体材料研究】中的应用陈宜保.pdf北京师范大学理学硕士学位论文 致谢 作者衷心感谢导师王若桢教授在硕士研究生期间给予的悉心指导和帮助,王老师严谨求实的治学风格令我终生受益。感谢中科院半导体研究所江德生研 究员在论文工作期间给予的辛勤指导和提供的各种科研条件与机会,江老师的 渊博学识和严谨的科研态度使我受益匪浅,对我的科研水平的提高起了很大的 推动作用.在论文工作中,得到了中科院半导体所的孙宝权博士后,武建青博士,李 晴,李学平等人的大力帮助,使得我的论文工作得以顺利的完成,在此表示衷 心的感谢。同时,作者还要对师兄刘伟,师姐崔丽秋等人给予的热情帮助表示 深深的谢意。北京师范大学理学硕士学位论文 第四章:AlosGaosAs/InoGag.sAs/GaAs配高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构的光伏研究4配高电子迁移率晶体管(PHEMT)4AlosGaosAs/Ino2Gao.gAs/GaAs(PHEMT)结构的光伏研究本章小结 参考文献.北京师范大学理学硕士学位论文 Abstract PhotovltageSpectroscopyis anondestructiveoptical techniqueforcharacterizing semiconductor materials and thin film structures,whichis based on the photovoltaic effect of semiconductors.The openphotovoltage signal of sample is capacitively coupled out and measured using a lock-
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