[制备高品质soi材料的实验研究]高云

【制备高品质soi材料的实验研究】高云.pdf注氧隔离技术(SIMOX技术)制备高品质SOI材料的实验研究 摘要 第一部分简要介绍了SOI材料在微电子领域的重要意义 第二部分评价和分析了目前国际上最为广泛研究的 SIMOX技术所取得的进展及其仍然存在的难以解决的问题.这些问题包括:低剂量注入氧化埋层不连续性问题.中高剂量 注入形成氧化埋层中出现分凝,并产生一系列硅岛.顶层硅单 晶中存在穿通位错等。上述问题严重影响了SOI材料的品质.为了解决上述问题,采用传统的高温退火方式,即退火温度高 达1300℃,退火时间长达6小时。即使这样,问题仍然没有 第三部分提出了硅自注入非晶化的实验方案以解决上述 问题。6SOI材料的优点及其重要意义 SIMOXSOI技术的发展及其存在的问题 SIMOX技术的工艺及其原理 SIMOX技术的发展过程及存在的问题 采用硅自注入非晶化技术改善SOI材料品 改善氧化埋层前界面质量的实验 去除氧化理层底部硅岛的实验 快速热退火取代常规高温热退火实验 对氧化埋层中硅岛形成机制的分析 非晶化层的形成及其范图的计算目录 SOI材料的发展及其研究方向 SOI技术的发展 SIMOX技术的最新研究亚微米VLSI技术中具有明显的优势和潜力,使它成为集成电路 VLSICMOS和抗辐照领域.SOIMOSFET器件根据 硅膜厚度和掺杂浓度不同,可分三种不同类型:厚膜器件、薄 膜器件(1000-2000A)和中等膜厚器件。厚膜SOI工作特性与 体硅器件基本相同,但产生了两个明显的寄生效应:“翘曲效应”和器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。薄膜全 耗尽SOI器件可完全消除“翘曲效应”,并且具有低电场、高跨 导、良好的短沟道特性和近理想的亚阙值斜率等优点。在LSI/ULSICMOS领域,我们大力发展的是薄硅膜全耗尽器件.
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