【制备高品质soi材料的实验研究】高云.pdf

注氧隔离技术(SIMOX技术)制备高品质SOI材料的实验研究摘要第一部分简要介绍了SOI材料在微电子领域的重要意义第二部分评价和分析了目前国际上最为广泛研究的 SIMOX技术所取得的进展及其仍然存在的难以解决的问题.这些问题包括:低剂量注入氧化埋层不连续性问题.中高剂量注入形成氧化埋层中出现分凝,并产生一系列硅岛.顶层硅单晶中存在穿通位错等。上述问题严重影响了SOI材料的品质.为了解决上述问题,采用传统的高温退火方式,即退火温度高达1300℃,退火时间长达6小时。即使这样,问题仍然没有第三部分提出了硅自注入非晶化的实验方案以解决上述问题。

6SOI材料的优点及其重要意义 SIMOXSOI技术的发展及其存在的问题 SIMOX技术的工艺及其原理 SIMOX技术的发展过程及存在的问题采用硅自注入非晶化技术改善SOI材料品改善氧化埋层前界面质量的实验去除氧化理层底部硅岛的实验快速热退火取代常规高温热退火实验对氧化埋层中硅岛形成机制的分析非晶化层的形成及其范图的计算目录 SOI材料的发展及其研究方向 SOI技术的发展 SIMOX技术的最新研究

亚微米VLSI技术中具有明显的优势和潜力,使它成为集成电路 VLSICMOS和抗辐照领域.SOIMOSFET器件根据硅膜厚度和掺杂浓度不同,可分三种不同类型:厚膜器件、薄膜器件(1000-2000A)和中等膜厚器件。厚膜SOI工作特性与体硅器件基本相同,但产生了两个明显的寄生效应:“翘曲效应”和器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。薄膜全耗尽SOI器件可完全消除“翘曲效应”,并且具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和近理想的亚阙值斜率等优点。在LSI/ULSICMOS领域,我们大力发展的是薄硅膜全耗尽器件.