[真空电弧膜的理论模型和实验研究]程仲元

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Experimental Research and Theoretical Model ofVacuumArcDeposition by Cheng Zhongyuan Supervisedby Professor Zou Jiyan,Xu Shizhang,and Cheng Lichun A dissertation Submittedtothefacultyof Huazhong University of Science and Technology for thedegreeofPh.DinElectricalEngineering Oct.华中理工大学博土学位论文 还为减轻MP污染提供新的努力方向.结合第四章等离子体诊断的结果,本文第七章还定量地分析了等离子体参数 对膜层性能的影响。发现与宏观工艺参数相比,等离子体微观参数对膜层性能有更 直接和确定的影响。这一发现为实际工业生产中控制和优化工艺参数,提高膜层质 量提供新的思路.本课题的研究为进一步应用VAD技术制备精细薄膜打下了基础。应用本文对MP 的分析和控制措施解决MP污染的问题,配以更完善的等离子体诊断可以沉积非晶硅 和其他半导体薄膜,从而把本课题进一步融人我国高技术薄膜材料制备的研究中,主题词:真空电弧、离子镀、等离子体诊断、静电探针、薄膜、宏观颗粒华中理工大学博士学位论文 shapes.Some new thoughts are discussed to deduceMPcontamination)To relate thc plasma parameters with film mechanical properties quantitatively.In Chapter 7,direct and obvious relations have bcen cleared out between the above two.