【溅射制备换电存储薄膜及其结构与性能研究】黄龙波.pdf

由于在电子学和光学上的大量应用,人们在过去的二十年里对铁电薄膜进行了广泛的研究,其中铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、无挥发性和极好的抗辐射性等特点。本文深入、系统地理论上,通过分析溅射和薄膜形成过程,阐明了原位溅射制备PZT薄膜的实验条件。运用×射线荧光分析方法对薄膜结构进行了探讨,提出了钙钛矿相 PZT薄膜的形成机理。研究了铁电薄膜的电性能表征原理,分析了铁电薄膜电性能测试电路。基于广泛的实验结果,运用能带理论,建立了铁电薄膜与底电极之间的界面异质结模型。

films are investigated.The crystallization of PZT thin films from the amor-phous statetopyrochlorephaseand then toperovskitesturcutreis systemati-cally studied,and thepolycrystalline perovskitePZT thinfilms areobtained by annealingonlyat500Cfor1hour.

PLZT(7/65/35)薄膜的钙钛矿相结构研究 3PLZT薄膜的晶化结构分析 3影响PLZT薄膜晶化结构的因素第四章PLZT薄膜的X射线光电子能谱分析 4薄膜近表面状态描述 4样品制备和测试条件 4定量分析.