[高面密度垂直记录磁头技术研究]赵永龙

【高面密度垂直记录磁头技术研究】赵永龙.pdf摘要 本文在分析垂直磁记录磁头的关键技术,总结提高磁头灵敏度和分辨率措 施的基础上,研究了垂直磁记录的偏道特性,提出利用交叉方位角记录方式以 减窄实际记录道宽并消除保护带、充分利用记录媒体表面的新方法,在实现高 研究了写人时磁道加宽机理,发现垂直记录单极头的写人加宽小,有利于 对方位角记录方式所作研究表明,采取交叉方位角方式,大大消除了邻道 审音,可以实现无保护帮记录.为实现这一自标而设计制作的双道方位角磁 头,具有较好的读出性能.若用于软盘系统,与具有相同道宽的普通磁头比,可提高道密度一倍以上.tion and annealled only after RFA(Rotational Field Anneal)has high permeabilityμ than10000.Thecausesof that thereproduced signalisnotso stableandmagneticpropertyisnotsowell asthethicknessof thefilmisthinner arestudied.Otherwise,bycontrolling the sputteringcondition,enable thefilm havelargeranisotropFeSi/AIN和CoZrNb/AIN多层膜的研究 高磁导率CoZrNb/AIN多层膜研究 CoZrNb/AIN多层膜的制作 溅射条件对CoZrNb/AIN多层膜的影响 高饱和磁通密度FeSi/AIN多层膜的研究 FeSi/AIN多层膜的制作
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