【多晶硅发射极膜及多晶硅接触薄发射极的研究】徐静平.pdf
前体言 自1966年多晶硅膜作为一种电子材料在有源器件中得到应用以来,随着科学技术的 不断发展,工艺水平的不断提高,先进制膜设备的不断问世,使其在集成电路生产中得到 日益广泛的应用,成为集成电路制造中最为重要的薄膜材料之一。不仅如此,它还广泛用 于微波器件、各种特殊功能的半导体器件,大面积显示驱动集成电路、太阳能电池、各种光 电器件等各个方面,给电子工业乃至人们的生活带来了深刻的影响.然而,尽管多晶硅膜材料已得到了如此广泛的应用,但仍有许多应用领域等待着人们 去挖掘和开拓,数以万计的科学工作者也正是在努力寻找着能让多晶硅材料发挥作用的 场所,因为他们知道,一且有适于多晶硅材料应用的器件,必将
ABSTRACT This thesis forDoctors degree made a series of theoretical and experimentalre-searches for preparing of the polysiliconfilms,itsimproving in electrical properties and forming of thin ermitter.It contains five parts.
目录 前言 第一部分文献综述 第一章绪论 51多晶硅发射极技术的研究及发展 1多晶硅发射极技术发展的动力 1多晶硅发射极的制备及退火 1课题概述 1课题的提出 1课题的来源和内容 第二部分多晶硅成膜理论及载流子输运理论的研究 第二章LPCVD掺杂多晶硅模型的研究 2薄膜气相淀积的一般生长过程 2LPCVD掺杂多晶硅模型的建立 2LPCVD的一般模型 2LPCVD掺杂多晶硅模型 2计算结果及分析 2小结 第三章 多晶硅薄膜载流子输运理论的研究 3引言 3模型的基本假设 3多晶硅膜电参数的理论推导 3.