【四足状ZnO纳米粉末及低温烧结压敏电阻材料研究】吴隽.pdf
ADissertationSubmittedinPartial Fulfillmentof theRequirements for theDegree of Doctor ofPhilosophyinEngineering Study onTetrapod ZnONanopowders andVaristor MaterialswithLowSinteringTemperature Ph.D.Candidate:Wu Jun Major MaterialsScienceEngineering Supervisor:Prof.
华中科技大学博士学位论文 敏电阻配方,该配方最大特点是烧结温度非常低,最低可低至800C。掺杂ZnO-V2Os 压敏电阻由两相组成:主晶相ZnO以及第二相-Zn3(VO4),其中-Zn3(VO4)2相为晶 界相。当B2O与PbO添加量之和超过12wt 时,将会有ZnB4Oz相出现,其晶界势垒 PB在0eV～0eV之间。最大非线性系数α可达36,最小漏电流密度J为 6x10A/cm2。A.C.阻抗谱分析表明:在ZnO-V2Os中也形成了半导体化ZnO晶粒一 晶界绝缘层一半导体化ZnO晶粒的SIS结构。
华中科技大学博士学位论文 areone of themain coursefor theformingofsemiconductiveZnOgrains.The suitable sinteringtemperatureisinarangeof900°Cto1170°Cwhiletheoptimumoneis1050°Cand theoptimumamountofoxideadditivesis13wt .17wt fortheglassformingoxides Some optimum propertieshavebeen achieved asfollows:themaximum