【纳米碳化硅薄膜和纳米碳化硅晶须的光电性质研究】张洪涛.pdf

华中科技大学博士学位论文 A DissertationSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirements for theDegree of Philosophy in Engineering Opto-electronicPropertiesofNanocrystallineSilicon CarbideFilms andSiliconCarbideNanorods Ph.D.Candidate:ZhangHongtao Major:Microelectronics and Solid State Electronics Supervisor:Pro

华中科技大学博士学位论文释。认为这一现象主要是Auger过程所导致。其次,拉曼受激散射的阅值大为降低,表明纳米碳化硅晶须的拉曼散射截面大大增加。观察到纳米碳化硅晶须的极高强度的带间发光现象。此外,采用紫外光激发在深紫外区(3eV)产生高强度发光的现象,暗示纳米碳化硅晶须可能已经转化为直接带隙的结论。这一现象有力地证明了一维量子线跃迁几率极高的量子限域理论。而完全使光的非弹性散射消失的现象,更加说明了纳米碳化硅晶须的光致发光与拉曼散射等的相互作用导致出现新的现象,可能揭示了新的物理原理,将会导致更加重要的应用。

华中科技大学博士学位论文 CH4-SiH4plasma consist of amorphous network and phase-pure crystalline silicon carbide whichhasthe4Hpolytypestructure-themicrocolumnar4H-SiCnanocrystallitesofamean size of about 16nm in diameter are encapsulated by amorphous SiC networks.