[纳米碳化硅薄膜和纳米碳化硅晶须的光电性质研究]张洪涛

【纳米碳化硅薄膜和纳米碳化硅晶须的光电性质研究】张洪涛.pdf华中科技大学博士学位论文 A DissertationSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirements for theDegree of Philosophy in Engineering Opto-electronicPropertiesofNanocrystallineSilicon CarbideFilms andSiliconCarbideNanorods Ph.D.Candidate:ZhangHongtao Major:Microelectronics and Solid State Electronics Supervisor:Pro华中科技大学博士学位论文 释。认为这一现象主要是Auger过程所导致。其次,拉曼受激散射的阅值大为降低,表 明纳米碳化硅晶须的拉曼散射截面大大增加。观察到纳米碳化硅晶须的极高强度的带间 发光现象。此外,采用紫外光激发在深紫外区(3eV)产生高强度发光的现象,暗示纳 米碳化硅晶须可能已经转化为直接带隙的结论。这一现象有力地证明了一维量子线跃迁 几率极高的量子限域理论。而完全使光的非弹性散射消失的现象,更加说明了纳米碳化 硅晶须的光致发光与拉曼散射等的相互作用导致出现新的现象,可能揭示了新的物理原 理,将会导致更加重要的应用。华中科技大学博士学位论文 CH4-SiH4plasma consist of amorphous network and phase-pure crystalline silicon carbide whichhasthe4Hpolytypestructure-themicrocolumnar4H-SiCnanocrystallitesofamean size of about 16nm in diameter are encapsulated by amorphous SiC networks.
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