[新型ZnO薄膜低压压敏电阻的制备及性能研究]黄焱球

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DissertationSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirements for theDegree of Doctor of Philosophy inEngineering Studyon thePreparation andPropertiesof Low VoltageZnO-basedCeramicFilmVaristors Ph.D.Candidate:HuangYanqiu Major:Microelectronics and SolidStateElectronics Supervisor:Prof.华中科技大学博士学位论文 利用X射线衍射及拉曼光谱分析对ZnO陶瓷薄膜的相组成及其特征进 行了研究,发现在ZnO陶瓷薄膜中,尖晶石相开始形成的温度为550℃,比在 ZnO陶瓷中的形成温度低400℃以上,而且无焦绿石相发育。同时出现了在陶瓷 材料中不常见的ZnCr2O4相。ZnO及尖晶石的晶体结构由于掺杂离子的进入,其 晶格发生了局部畸变,晶胞参数偏离理论值。掺杂离子的渗透作用造成了耗尽层 内的施主浓度的显著增高,不仅使晶体产生较大应力,而且影响ZnO陶瓷薄膜的 施主浓度、界面态密度、晶界势垒高度以及耗尽层宽度.础上,建立了ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的电子直接隧穿导电模型。华中科技大学博士学位论文 ThebarriervoltageofZnO-basedceramicfilmvaristors,whichwas about0V accordingtotherelationshipbetweenthebarriervoltageandthenonlinearvoltageofthe varistor,wasmuchlower than thatofthevaristorceramics.Itimpliesthatnoholescould beproducedwhenthefilmvaristorswasbreakdown,forthe appliedvolt