【陶瓷学报】秦锡麟陶瓷学报杂志社景德镇.pdf
孙清华陶艺作品选 堆雕小景 白鸽 堆雕山水体瓶
目次 CONTENTS 低温APCVD法制备氮化硅薄膜 孟样森宋晨路余京松等 Silicon Nitride thin Films Prepared by Low Temperature Atmosptheric Pressure Chemical Vapor Deposition.Meng XiangsenSong ChenluYu Jingsong et al 对硅铁红色料中铁的穆斯堡尔谱研究 俞康泰张勇徐斌富 Mossbauer Spectroscopic Study on Fe of Silicon-iron -peach Pigmentg
《陶瓷学报》1999年第3期 薄膜制备工艺.发现,当基板温度升高时,Si-N键吸收峰有所变宽,并且向低波数方向移动,这可能是温度升高时不稳定 2实验 的Si-H和N-H键分解,Si-N键数目增加,薄膜的 化学计量性向SiN靠拢,其吸收峰位置也随之向纯 2原料 SiN中Si-N键的特征峰870cm处靠拢。2188 SiH和高纯度NH作为反应气体,单晶硅片和平 86cm、2182cm、2167cm的吸收峰是Si-H 板玻璃作基板(基板先后用无水乙醇、稀盐酸、超声波 键的特征吸收峰,3361cm、3357cm3356 清洗,最后去离子水冲洗后烘干)。 
