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材料科学与工程 MATERIALSSCIENCEANDENGINEERING 第十四卷 第四期 总第五十六期 目录 晶须的研究发展 袁建君、方琪、刘智恩 雾化喷射沉积技术的发展概况及展望米国发、田世藩、曾松岩、李庆春 团簇大小对Fe-Ag和Co-Ag包埋团簇形貌及结构的影响 王浩、赵子强、钟运成、韦伦存、卢希庭 稀土铁石榴石磁光材料及其应用.黄敏、张守业、赵渭忠、吴惠娴 膨胀石墨孔结构的影响因素 曹乃珍、沈万慈、温诗铸、刘英杰、王正德、稻垣道夫 颗粒增强钢基铸造复合材料研究 王恩泽、徐学武、邢建东 AIN薄膜的研究进展 张伟、张仕国
着β-SiC晶须的问世,晶须材料的研制和开发进入了第二阶段,出现了工业化生产的高性能的 SiC、SiN、AIO和钛酸钾等晶须材料,这些商品晶须作为补强增韧剂反过来极大地促进了 新型复合材料,特别是金属基复合材料和陶瓷基复合材料的迅速发展.我国的沈阳金属研究所、中国矿业大学、清华大学、上海硅酸盐研究所、山东工业陶瓷 研究设计院和天津大学及本校等单位自七十年代起也研究和开发了SiC、SiN,等多种晶须.为进一步推动我国晶须材料的研究和开发,本文综述了晶须的生长机理、制备方法、形貌、显 微结构和性能,并对晶须的应用作了简单的介绍,同时对今后晶须研究的发展方向提出了自 已的一些浅见。
使晶须生长激活能大幅度降低,因此,一般情况下采用VLS机理生长晶须的速度要比采用VS 机理生长晶须的速度要快得多,而且往往晶须的生长温度较低.晶须的VS生长机理也是一种经常采用的晶须生长机理,表2是部分采用VS机理生长的 晶须的制备方法和条件。根据 表2按VS机理生长的部分晶须 晶须的VS机理生长特点,在 晶须 制备方法 原料 生长温度(文献 采用该机理制备晶须时应注意 Sn 自发反应 Sn 室温 [1] 不仅要选择合适的反应物与化 AlOs AIF水解法 AIFHO [20] 学反应条件,严格保持化学反 β-SiC 碳热还原法 C高岭土 1300.1700 [21] 应和晶须生长工艺的稳 
