【材料科学与工程】材料科学与工程编辑部材料科学与工程编辑部杭州.pdf
材料科学与工程 MATERIALSSCIENCEAND ENGINEERING 第十五卷 第一期 总第五十七期 目录 GaN和AlGa-xN薄膜材料研究进展 陈伟华、叶志镇 反应合成原位(In-Situ)复合材料制备技术进展 严红革、陈振华、黄培云 重金属氧化物玻璃的应用与研究.黄继式、卢安贤 金属间化合物环境敏感脆性的能量学分析张德志、邹明达、萧纪美 RFe-xM金属间化合物磁性质的分子场论分析 王庆国、黄瑞旺 Cu-Zn-Al-Mn合金贝氏体相变的位相关系.
组分的关系。在x从0到1变化时,晶格常数c近似在5:17A与4A之间作线性变化.2禁带宽度 在不同衬底与不同的生长条件下生长的GaN及AlGa-xN的禁带宽度不尽相同。Oka-mura等*用阴极荧光测得立方GaN的Eg较六角GaN的大0eV。但他们又在94年利用 GaN的Eg值。Strite等[对GaAs衬底的GaN测得的结果为Eg=3eV(室温)和3eV(4K),这个数值也较3eV(4K)为大。Powell等i2使用光透射谱测得的六角GaN的Eg值 为3eV,立方GaN的Eg值为3eV。
有较大的晶格失配和热失配16),这使生长晶体完整、表面光滑的GaN单晶膜存在较大困难.在这种条件下,出现了HGHMS(HeteroepitaxyGrowthonHighMismatchedSubstrate)技 术[2],它初步解决了上述问题。HGHMS思想主要内容是在衬底材料和GaN外延层中插入一 层缓冲层(bufferlayer),它可以消除或减少衬底与GaN在晶格与热膨胀系数的失配,在一定 程度上吸收异质外延层中由于材料高温处理而形成的应力。通常称用上述思想进行生长的方 法为二步外延生长法。对a-Al2Os衬底常选用AIN、ZnO或GaN多晶层作为过渡层. 
