【材料研究学报】叶恒强材料研究学报编辑部渖阳.pdf
材料研究学报 CAILIAO YANJIU XUEBAO 第18卷 第5期 2004年10月25日 目 次 研究论文 511焦延鹏等:生物降解型交联PVP材料的制 449彭英才等:晶粒有序Si基纳米发光材料的自 备和性能 组织化生长 517陈志国等:锂对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg 461沙桂英等:应力波载荷作用下X70管线钢的 Ag合金时效特性的影响 应力-应变行为 524陈书涛等:(Nao.sBio.s)TiOs-BaTiO3的合 466汪凌云等:AZ31B镁合金板材的织构 成与压电性能 虞忠良等:表面处理对Ti-6-22-22合金高 529高离等:真空热循环对M40J/环氧复合材 温疲
材料研究学报 18卷 densitydistribution,self-assembledgrowth 目前,以全Si光电子集成技术为目标的Si基纳米薄膜材料的研究,经过许多材料物理学家 的长期共同努力,已在制备方法、结构特征和发光特性等方面取得了令世人瞩目的显著进展(.随着实验与理论研究的不断深入,人们逐渐认识到,实现这一目标的关键是如何制备出性能稳定 基微结构材料,这就必须突破Si材料的间接带隙特性的限制 基于上述考虑,人们先后提出了几种可供选择的技术方案.
材料研究学报 18卷 2通过控制纳米结构成核位置的生长 2在台阶表面上的生长半导体表面台阶对低维量子结构的选择生长具有重要的意义 合理控制表面台阶的尺寸、密度和取向,也可以实现有序纳米量子点的预期生长.与GaAs材料 相同,对于Ge和Si而言,最容易产生表面台阶的也是低指数面,因为Ge和Si 面的再构可以形成一排排的二聚体.由于金刚石晶格的对称性,在被奇数个单原子层所分割的台 面上,二聚体的排与排之间相互垂直.根据晶体处理方法和工艺生长条件的不同,将在Ge 和Si面出现两种台阶,即所谓的单层(SL)台阶和双层(DL)台阶. 
